用途：用于半導(dǎo)體器件工藝中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制備
特點(diǎn)：一次設(shè)定自動完成，可另配氣柜。真空系統(tǒng)可選配進(jìn)口機(jī)組
主要技術(shù)指標(biāo)：制備3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；溫度：400~900℃；
恒溫區(qū)600mm±0.5℃；真空系統(tǒng)機(jī)械泵+羅茨泵，配有抽氣冷井；
控溫器采用進(jìn)口5吋觸摸屏；通入氣體SIH4/NH3/N2;
進(jìn)口質(zhì)量流量計(jì)控制；閥門用進(jìn)口氣動閥和減壓閥；動作順序?yàn)镻LC編程控制；
薄膜壓力控制器加閥閉環(huán)控制壓強(qiáng)